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IXTA140N055T2
IXTP140N055T2
180
Fig. 7. Input Admittance
100
Fig. 8. Transconductance
160
140
120
90
80
70
T J = - 40oC
25oC
100
80
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
60
50
40
30
20
10
0
150oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 28V
I D = 70A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
Ciss
1,000
100
Coss
Crss
100
10
Lead Limit
T J = 175oC
25μs
100μs
1ms
10ms
f = 1MHz
T C = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
1
10
100
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_140N055T2(V4)10-27-08-A
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